Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (5)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Козирев Ю$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Козирев Ю. М. 
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії [Електронний ресурс] / Ю. М. Козирев, М. Т. Картель, М. Ю. Рубежанська, В. К. Скляр, Н. В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доповiдi Національної академії наук України. - 2010. - № 1. - С. 71-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2010_1_14
Системи самоорганізованих нанокластерів Si та Ge одержано за допомогою методу молекулярно-променевої епітаксії на первісно аморфному оксидованому шарі SiOx (<$E x~symbol Г~2>). На відміну від нанокластерів Si, які виявляють ознаки монокристалічності: бокові фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно <$E 25 symbol Р> і верхніми терасами (100), нанокластери Ge набувають форми папівсфер із низьким співвідношенням латерального розміру нанокластера до висоти <$E beta>. Запропоновано механізм формування таких систем.
Попередній перегляд:   Завантажити - 421.061 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Лисенко В. С. 
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) [Електронний ресурс] / В. С. Лисенко, С. В. Кондратенко, Ю. М. Козирев, М. Ю. Рубежанська, В. П. Кладько, Ю. В. Гоменюк, О. Й. Гудименко, Є. Є. Мельничук, Ж. Грене, Н. Б. Бланшар // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 11. - С. 1132-1140. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_11_7
Розглянуто нанокластери Ge, вирощені за допомогою методу молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисненій поверхні Si(001) за температури 700 градусів за Цельсієм. За дифракцією рентгенівських променів і спектроскопією фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру з об'ємоцентрованою тетрагональною граткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ за 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge призводить до реконструкції поверхні та формування полікристалічного покриття з кубічною граткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною граткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si - Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обгрунтовано можливий механізм росту нанокластерів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.064 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського